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Jan 30, 2024
Calculs thermiques pour les IGBT
Le fonctionnement sûr et fiable des circuits de conversion haute puissance nécessite une
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Jan 27, 2024
Les IGBT au silicium visent les onduleurs de véhicules électriques
Spencer Chin | 06 sept. 2022 Renesas Electronics Corp. a développé un nouveau
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Jan 25, 2024
Renesas présente un nouveau circuit intégré de pilote de grille pour les IGBT et les MOSFET SiC pilotant les onduleurs EV
Le nouveau circuit intégré de pilote de porte prend en charge les dispositifs d'alimentation 1200 V avec 3,75 kVrms en i
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Jan 23, 2024
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Jan 20, 2024
La nouvelle famille de MOSFET OptiMOS™ 7 40V pour les applications automobiles améliore
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Jan 18, 2024
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Jan 16, 2024
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Jan 13, 2024
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Jan 11, 2024
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Jan 09, 2024
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Jan 06, 2024
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Jan 04, 2024
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