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Jun 17, 2023

La taille du marché mondial des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) dépassera 16,82 milliards USD d'ici 2032

La taille du marché mondial des transistors à haute mobilité électronique était évaluée à 7,51 USD

La taille du marché mondial des transistors à haute mobilité électronique était évaluée à 7,51 milliards USD en 2022 et le marché mondial des transistors à haute mobilité électronique devrait atteindre 16,82 milliards USD d'ici 2032, selon un rapport de recherche publié par Spherical Insights & Consulting. Entreprises couvertes : Ampleon, Mitsubishi Electric, Fujitsu, TOSHIBA, Infineon, Renesas Electronics, Cree, Qorvo, Microsemi, Wolfspeed, Lake Shore Cryotronics, ST Microelectronics, Texas Instruments, Oki Electric et entre autres.

New York, États-Unis, 01 juin 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- LeTaille du marché mondial des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) devrait passer de 7,51 milliards USD en 2022 à 16,82 milliards USD d'ici 2032, à un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 8,4 % au cours de la période projetée. L'adoption croissante des semi-conducteurs de puissance pour une fiabilité et une efficacité élevées dans plusieurs secteurs, notamment l'électronique grand public, l'automobile, l'industrie, l'aérospatiale et la défense, etc., devrait stimuler la demande pour le marché des transistors à haute mobilité électronique au cours de la période de prévision.

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Le transistor à haute mobilité électronique, ou HEMT, est un type de transistor à effet de champ (FET) avec un rapport de bruit extrêmement faible et des niveaux élevés d'efficacité aux fréquences micro-ondes. L'arséniure d'aluminium et de gallium (AlGaAs) et l'arséniure de gallium (GaAs) étaient deux des matériaux les plus fréquemment utilisés dans la fabrication de transistors à haute mobilité électronique. Les transistors à haute mobilité électronique, qui peuvent fonctionner à des fréquences millimétriques, sont utilisés dans les dispositifs haute fréquence tels que les téléphones portables, les récepteurs de télévision par satellite, les dispositifs de conversion de puissance et les systèmes de détection radar. La demande croissante des consommateurs pour l'électronique grand public, ainsi que la demande croissante de systèmes d'alimentation rentables, font partie des principales tendances à l'origine de la hausse du marché des transistors à haute mobilité électronique. Les transistors à haute mobilité électronique sont produits par la grande majorité des fabricants de dispositifs à semi-conducteurs dans le monde. Ils peuvent être des transistors discrets, mais on les trouve le plus souvent dans les circuits intégrés de nos jours. En outre, les principaux moteurs de la croissance du marché mondial des transistors à haute mobilité électronique sont les dépenses, la croissance et le développement plus élevés des dispositifs HEMT, ainsi que les progrès technologiques dans le secteur des transistors à haute mobilité électronique.

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Le segment du nitrure de gallium (GaN) domine le marché avec la plus grande part de revenus au cours de la période de prévision.

Sur la base du type, le marché mondial des transistors à haute mobilité électronique est segmenté en nitrure de gallium (GaN), carbure de silicium (SiC), arséniure de gallium (GaAs) et autres. Parmi ceux-ci, le segment du nitrure de gallium (GaN) domine le marché avec la plus grande part de revenus de 48,6 % sur la période de prévision. Contrairement aux technologies traditionnelles telles que le silicium (SI) ou l'arséniure de gallium (GaAs), les dispositifs HEMT les plus intrigants reposent aujourd'hui sur le nitrure de gallium (GaN), un matériau qui offre une haute qualité, une densité de puissance élevée et une excellente transmission large.

Le segment de l'électronique grand public a représenté la plus grande part des revenus de plus de 36,2 % au cours de la période de prévision.

Sur la base des utilisations finales, le marché mondial des transistors à haute mobilité électronique est segmenté en électronique grand public, automobile, industrie, aérospatiale et défense, etc. Parmi ceux-ci, le segment de l'électronique grand public domine le marché avec la plus grande part de revenus de 36,2 % sur la période de prévision. Les semi-conducteurs à transistors à haute mobilité électronique sont utilisés dans l'électronique grand public en raison de leurs applications supérieures à grande fréquence, à faible bruit et à large bande. Les HEMT sont les meilleurs appareils pour l'amplification, l'oscillation et la génération de signaux.

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L'Amérique du Nord détient une part de marché dominante sur le marché des transistors à haute mobilité électronique au cours de la période prévue.

L'Amérique du Nord domine plus de 38,7% du marché des transistors à haute mobilité électronique sur la période prévue. Cette domination du marché peut être attribuée à sa large utilisation dans des industries telles que l'électronique grand public, les avions, les automobiles et autres. Au contraire, l'Asie-Pacifique devrait connaître la croissance la plus rapide au cours de la période de prévision.

Analyse compétitive:

Le rapport propose une analyse appropriée des principales organisations / entreprises impliquées sur le marché mondial, ainsi qu'une évaluation comparative principalement basée sur leur offre de produits, leurs aperçus commerciaux, leur présence géographique, leurs stratégies d'entreprise, leur part de marché par segment et leur analyse SWOT. Le rapport fournit également une analyse élaborée axée sur les actualités et les développements actuels des entreprises, notamment le développement de produits, les innovations, les coentreprises, les partenariats, les fusions et acquisitions, les alliances stratégiques et autres. Cela permet d'évaluer la concurrence globale sur le marché. Les principaux fournisseurs du marché mondial des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) sont Ampleon, Mitsubishi Electric, Fujitsu, TOSHIBA, Infineon, Renesas Electronics, Cree, Qorvo, Microsemi, Wolfspeed, Lake Shore Cryotronics, ST Microelectronics, Texas Instruments, Oki Electric et entre autres.

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DEVELOPPEMENTS récents

En mai 2023, ROHM Semiconductor a annoncé la production de masse des HEMT 650V GaN (nitrure de gallium) GNP1070TC-Z et GNP1150TCA-Z. Ces dispositifs ont été conçus pour une variété d'applications dans les systèmes d'alimentation. Ensemble, Delta Electronics, Inc. et Ancora Semiconductors, Inc., une filiale qui crée des dispositifs GaN, ont développé ces produits innovants. Un obstacle majeur à l'établissement d'une civilisation décarbonée est l'augmentation de l'efficacité des sources d'énergie et des moteurs, qui consomment la majorité de l'électricité mondiale. L'adoption de nouveaux matériaux comme le GaN et le SiC est essentielle pour augmenter l'efficacité de l'alimentation électrique.

En juin 2021, ST Microelectronics a dévoilé une nouvelle série de pièces GaN appelée STi2GaN, qui signifie ST Intelligent and Integrated GaN. Pour garantir la durabilité et la fiabilité, les pièces utilisent la technologie d'emballage sans fil de liaison de ST. La nouvelle série de produits cherche à utiliser l'excellente densité de puissance et l'efficacité du GaN pour fournir une gamme de dispositifs à transistors à haute mobilité électronique (HEMT) de 100 V et 650 V.

Segment de marché

Cette étude prévoit des revenus aux niveaux mondial, régional et national de 2020 à 2032. Spherical Insights a segmenté le marché mondial des transistors à haute mobilité électronique en fonction des segments mentionnés ci-dessous :

Marché des transistors à haute mobilité électronique, analyse de type

Nitrure de gallium (GaN)

Carbure de silicium (SiC)

Arséniure de gallium (GaAs)

Autres

Marché des transistors à haute mobilité électronique, analyse des utilisateurs finaux

Électronique grand public

Automobile

Industriel

Aérospatial et Défense

Autres

Marché des transistors à haute mobilité électronique, analyse régionale

Amérique du Nord

NOUS

Canada

Mexique

L'Europe 

Allemagne

Royaume-Uni

France

Italie

Espagne

Russie

Le reste de l'Europe

Asie-Pacifique

Chine

Japon

Inde

Corée du Sud

Australie

Reste de l'Asie-Pacifique

Amérique du Sud

Brésil

Argentine

Reste de l'Amérique du Sud

Moyen-Orient et Afrique

Émirats arabes unis

Arabie Saoudite

Qatar

Afrique du Sud

Reste du Moyen-Orient et Afrique

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