Mosfet de puissance en mode d'amélioration du canal N 5A 200V B5n20 à-251

DESCRIPTION

5A 200V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet B5n20 to-251

PARAMÈTRE		SYMBOLE	VALEUR		UNITÉ
			5N20/I5N20/E5N20/B5N20/D5N20	F5N20
Tension Drian-Source		V_DS	200		V
Tension grille-drain		V_GS	±30		V
Courant de vidange (continu)		je_D(T=25ºC)	5		UN
		(T=100ºC)	3.4		UN
Courant de vidange (pulsé)		je_DM	20		UN
Énergie d'avalanche à impulsion unique		E_COMME	125		mJ
Pic de récupération de diode dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Dissipation totale	Ta=25ºC	prise de force	2	2	O
	TC=25ºC	prise de force	40	20	O
Température de jonction		J_j	-55~150		C
température de stockage		J_stg	-55~150		C

Caractéristiques

Commutation rapide

Faible résistance ON (Rdson≤0.65Ω)

Charge de grille faible (type : 7 nC)

Faibles capacités de transfert inverse (type : 8 pF)

Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

100 % V_DSTest

Applications

Utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation du système et une plus grande efficacité.

Circuit de commutation d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur.

Spécifications du produit et modèles d'emballage
modèle du produit	Type d'emballage	Marquer le nom	RoHS	Emballer	Quantité
5N20	TO-220C	5N20	Sans plomb	Tube	1000/boîte
F5N20	TO-220F	F5N20	Sans plomb	Tube	1000/boîte
B5N20	À-251	B5N20	Sans plomb	Tube	3000/boîte
D5N20	À-252	D5N20	Sans plomb	Bande et bobine	2500/boîte
I5N20	À-262	I5N20	Sans plomb	Tube	1000/boîte
E5N20	À-263	E5N20	Sans plomb	Bande et bobine	800/boîte

5A 200V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet B5n20 to-251

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