7.5A 600V Mode d'amélioration du canal N Mosfet de puissance F8n60 à-220f

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7.5A 600V Mode d'amélioration du canal N Mosfet de puissance F8n60 à-220f

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DESCRIPTION

Informations de base
Modèle NON.F8n60
Numéro de lot2021
Marquewxdh
Forfait transportTube
Marque déposéeWXDH
OrigineWuxi, Chine
Code SH8541290000
Description du produit

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

Description
Ces VDMOSFET améliorés à canal N sont obtenus par la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
PARAMÈTRESYMBOLEVALEURUNITÉ
8N60/I8N60/E8N60/B8N60/D8N60F8N60
Tension CC Drian-Source maximaleVDS600V
Tension grille-drain maximaleVGS±30V
Courant de vidange (continu)jeD(T=25ºC)7.5UN
(T=100ºC)4.8UN
Courant de vidange (pulsé)jeDM30UN
Énergie d'avalanche à impulsion uniqueECOMME400mJ
Pic de récupération de diode dv/dtdv/dt5V/ns
Dissipation totaleTa=25ºCprise de force22O
TC=25ºCprise de force10035O
Température de jonctionJj150C
température de stockageJstg-55~150C
Caractéristiques
Commutation rapide
Capacité améliorée ESD
Faible résistance ON (Rdson≤1.3Ω)
Charge de porte faible (type : 24 nC)
Faibles capacités de transfert inverse (type : 5,5 pF)
Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
Test ΔVDS à 100 %
Applications
utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation du système et une plus grande efficacité.
Circuit de commutation d'alimentation du ballast électronique et de l'adaptateur.
Spécifications du produit et modèles d'emballage
modèle du produitType d'emballageMarquer le nomRoHSEmballerQuantité
8N60TO-220C8N60Sans plombTube1000/boîte
F8N60TO-220FF8N60Sans plombTube1000/boîte
B8N60À-251B8N60Sans plombTube3000/boîte
D8N60À-252D8N60Sans plombBande et bobine2500/boîte
I8N60À-262I8N60Sans plombTube1000/boîte
E8N60À-263E8N60Sans plombBande et bobine800/boîte

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f