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Arrêt de champ de tranchée IGBT 600 V 150 a 428 W Produits semi-conducteurs discrets à trou traversant Transistors - Igbts - Single Igw75n60t

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CATÉGORIES
IGBT
PRODUIT
Condensateur céramique X2 184/630V P15 6um

Condensateur céramique X2 184/630V P15 6um
Condensateur multicouche céramique à valeur fixe à puce Mlcc haute tension, Q élevé et faible inductance 15kv 222 2.2NF 0.0022UF pour application automobile/industrielle/consommateur

Condensateur multicouche céramique à valeur fixe à puce Mlcc haute tension, Q élevé et faible inductance 15kv 222 2.2NF 0.0022UF pour application automobile/industrielle/consommateur
36V LiFePO4 BMS 12s 15A-60A 18650 Batterie BMS Packs PCB Protection Board Balance Circuits intégrés

36V LiFePO4 BMS 12s 15A-60A 18650 Batterie BMS Packs PCB Protection Board Balance Circuits intégrés
Condensateurs céramiques multicouches 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%

Condensateurs céramiques multicouches 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%
Condensateurs céramiques multicouches 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10%

Condensateurs céramiques multicouches 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10%
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Vue d'ensemble Arrêt de champ de tranchée IGBT 600 V 150 A 428 W Produits semi-conducteurs discrets à trou traversantTra

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DESCRIPTION

Informations de base
Modèle NON.IGW75N60T
Code SH8542399000
Capacité de production10000photos/mois
Description du produit
IGBT Trench Field Stop 600 V 150 A 428 W Through Hole Discrete Semiconductor ProductsTransistors - IGBT - Single IGW75N60T
Numéro de modèleTOUS les modèles disponibles
TaperCircuit intégré, microcontrôleur, diodes, capteurs, transistors, etc.
Lieu d'origineChine, États-Unis, KR, Malaisie, Taiwan Chine, HK Chine, etc.
MarqueToutes les marques
EmballerOui
Nom du produitCircuits intégrés
Article commercialEXW\FOB\...
Fiche de donnéesGestionnaire de contacts svp
E-mail de nomenclatureGestionnaire de contacts svp
ExpéditionHL \ UPS \ Fedex \ TNT \ EMS \ ePacket
Délai de mise en œuvre1-3 jours ouvrables
ConditionNouveau
Description du produit

IGBT Trench Field Stop 600 V 150 a 428 W Through Hole Discrete Semiconductor Productstransistors - Igbts - Single Igw75n60t

IGBT Trench Field Stop 600 V 150 a 428 W Through Hole Discrete Semiconductor Productstransistors - Igbts - Single Igw75n60t

IGBT Trench Field Stop 600 V 150 a 428 W Through Hole Discrete Semiconductor Productstransistors - Igbts - Single Igw75n60t

IGBT Trench Field Stop 600 V 150 a 428 W Through Hole Discrete Semiconductor Productstransistors - Igbts - Single Igw75n60t

Profil de l'entreprise

IGBT Trench Field Stop 600 V 150 a 428 W Through Hole Discrete Semiconductor Productstransistors - Igbts - Single Igw75n60t

Nos avantagesFAQ

FAQ
Q. Qui êtes-vous ?
R : Nous sommes un fournisseur professionnel de composants électroniques en provenance de Chine. Comme les circuits intégrés nouveaux et originaux, fournissez également un service complet de nomenclature.

Q. Vos produits sont-ils originaux ?
A: oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.

Q. Quel est votre délai de livraison ?
R : Le produit est envoyé dans les 3 jours suivant la confirmation du paiement, et le délai de livraison est de 3 à 6 jours.

Q. Quelle est votre garantie ?
A: 60 jours après réception des marchandises. Nos produits seront testés à 100% avant d'être envoyés. Si les marchandises sont défectueuses, veuillez nous en informer dans les 3 jours suivant la livraison. Tout article doit être retourné tel quel pour pouvoir prétendre à un remboursement ou à un paiement. L'acheteur est responsable de tous les frais de transport engagés.

Q. Quel est le MOQ pour vos produits ?
A: MOQ est 1 pièces.

Q. Comment payer la commande ?
A: nous acceptons le virement bancaire TT, western union, Pay Pal.
Contactez nous s'il vous plait.

Q. Comment mes colis sont-ils expédiés ?
A: nous utiliserons DHL, TNT, FedEx, EMS, DEPX (délai de 3 à 6 jours) pour expédier votre colis.

 

Q.Comment commander ?
A. Enquête → Devis → Négociation → Échantillons → PO/PI → Production en série → Livre
Espace → Équilibrer/Livrer → Plus loin.


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